日前外媒报导，北卡罗莱纳州立大学发现了一种通过降低氮化镓薄薄膜中的2~3个数量级缺陷，来提高LED发光材料的质量的新技术。研究人员介绍，通过该技术，相同的输入电能能够多产生2倍的输出光能，对于低电能输入和紫外发光范围的LED而言，这种增长非常可观。LED照明主要依赖于氮化镓薄膜的发光二极管，研究人员将2微米厚的GaN薄膜的一半厚度嵌入到长2微米宽，0.5微米的空间间隙，之后发现，许多缺陷会被吸引并困在这些空隙空间里。这使得空隙空间上减少了许多缺陷。因此，他们有效的在薄膜中放置一些空隙空间后，成功地防止缺陷蔓延到薄膜的其余部位。如果没有这个空隙技术，每平方厘米的氮化镓薄膜将会有大约1010个缺陷。然而使用了这个技术后，每平方厘米的缺陷将会降到大约107。以此可制造出更高质量、更有效的发光二极管。
         本文来自 中国LED网 www。cnledw。net

    日前外媒报导，北卡罗莱纳州立大学发现了一种通过降低氮化镓薄薄膜中的2~3个数量级缺陷，来提高LED发光材料的质量的新技术。研究人员介绍，通过该技术，相同的输入电能能够多产生2倍的输出光能，对于低电能输入和紫外发光范围的LED而言，这种增长非常可观。LED照明主要依赖于氮化镓薄膜的发光二极管，研究人员将2微米厚的GaN薄膜的一半厚度嵌入到长2微米宽，0.5微米的空间间隙，之后发现，许多缺陷会被吸引并困在这些空隙空间里。这使得空隙空间上减少了许多缺陷。因此，他们有效的在薄膜中放置一些空隙空间后，成功地防止缺陷蔓延到薄膜的其余部位。如果没有这个空隙技术，每平方厘米的氮化镓薄膜将会有大约1010个缺陷。然而使用了这个技术后，每平方厘米的缺陷将会降到大约107。以此可制造出更高质量、更有效的发光二极管。
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